Samsung Exynos Dual 32nm Teknolojisi

Samsung Döküm sektöründe ilk HKMG ürünüydü. 32nm : Düşük Güç, Jun High-K Metal Gate 2010 gibi  nitelikli vardır .Kapı  teknolojisi ile HK / MG birleştiren bile Poly-Si tabanlı geleneksel tasarım metodolojisi köklü değişiklik olmadan aşırı yüksek performans ve yüksek alan verimliliğini fark etti. 32nm HKMG işlemi% 30 daha yüksek hız,% 30 daha az güç, 45nm teknolojisi üzerinden SRAM yoğunluğu iki kat ile 30% ölçekleme, yüksek performanslı mobil uygulamalar için idealdir.32nm üretim yüksek performanslı mobil uygulamalar için uygun bol tasarım ekosistem ile geliştirilmiştir. Samsung'un 28nm düşük güç Yüksek K Metal Gate Süreç geliştirme ve 32nm LP HKMG sürecinin başarılı yüksek hacimli üretim iki yıl üzerine inşa edilmiştir ve son derece basit geçiş yolu için tasarlanmıştır. 28nm süreç mobil uygulamalar için ideal, düşük güç korurken önemli performans sağlayan bir kapı-ilk Yüksek K Metal Kapı sürecidir.

Sürecin bir varyantı, 28nm LPH HKMG, daha da fazla güç tasarrufu veya 2GHz ötesinde performans artışı sunuyor. 28LP işlemi düşük bekleme gücü çok önemlidir mobil uygulamalar için ideal, yüksek performanslı 28LPH işlemi yüksek enerji verimliliği ile birleştirilen son derece yüksek performans gerektiren daha performans odaklı uygulamalar için bir çözümdür. Aynı bekleme güçte 28LP 20'den fazla hız sahiptir.

32/28nm Temel Özellikler

·         Gate-İlk Yüksek K Metal Gate yığını

·         Ince kapı oksit Dört 1.0V cihazlar

·         Kalın kapı oksit ile 1.8V / 1.5V cihazı

·         Altı ile on bakır metal katmanları altı 1x seviyesi, iki 2x seviyesi ve iki 8x metal düzeye kadar dahil

·         Tel-bağ pedleri veya kontrollü çöküş yonga bağlantıları (C4S)

·         İsteğe bağlı elektriksel olarak programlanabilen sigortalar (polislikon E-Sigorta)

Genel Bakış

Exynos 4212 304 çok fonksiyonlu giriş / çıkış portu işaretçilerine ve 164 bellek  işaretçilerine içerir. 37 genel port vardır.

Bunlar:

 GPA0, GPA1: 14 akış kontrolü, akış kontrolü olmadan UART ve / veya 2xI2C ile port-3xUART giriş / çıkış

 GPB: in / port-2xSPI ve / veya 2xI2C ve / veya IEM dışarı 8

 GPC0, GPC1: 10 port-2xI2S giriş / çıkış ve / veya 2xPCM ve / veya AC97, SPDIF, I2C ve / veya SPI

 GPD0, GPD1: / çıkış portları-PWM, 2xI2C ve / veya LCD I / F, MIPI 8

 GPM0, GPM1, GPM2, GPM3, GPM4: 35 port-CAM I / F, ve / veya TS I / F, HSI ve / in / out veya Trace I / F

 GPF0, GPF1, GPF2, GPF3: 30 port-LCD I / F giriş / çıkış

 GPJ0, GPJ1: 13 giriş / çıkış portları-CAM I / F

 GPK0, GPK1, GPK2, GPK3: port-4xMMC giriş / çıkış (4-bit MMC) 28 ve / veya 2xMMC (8-bit MMC)), ve / veya GPS

I / F hata ayıklama

 GPL0, GPL1: 11 giriş / çıkış portları-GPS I / F

 GPL2: 8 giriş / çıkış portları-GPS hata ayıklama I / F veya Tuş takımı I / F

 GPX0, GPX1, GPX2, GPX3: 32 giriş / çıkış portları-Harici uyandırma ve / veya Tuş takımı I / F

Not: Bu canlı bölgede bulunmaktadır. Port başına 4 GB (2CS) kadar destek

 GPZ: / çıkış portları-düşük güç I2S 7 ve / veya PCM

 GPY0, GPY1, GPY2: giriş / çıkış 16 EBI port-kontrol sinyalleri (Srom, NF, bir NAND)

 GPY3, GPY4, GPY5, GPY6: port-EBI bellek giriş / çıkış 32 (EBI yapılandırması hakkında daha fazla bilgi için, bkz

Bölüm 5 ve 6)

 MP1_0-MP1_9: 78 DRAM1 port

NOT: GPIO kayıtları bu bağlantı noktalarını kontrol etmez.

 MP2_0-MP2_9: 78 DRAM2 port

NOT: GPIO kayıtları bu bağlantı noktalarını kontrol etmez.

 ETC0, ETC1, ETC6: 18 port-JTAG, SLIMBUS, RESET ETC giriş / çıkış, SAAT

 ETC7, ETC8: C2C için 4 saat port

Uyarı: Pull-up/pull-down olmayan bir giriş pin bağlantı noktası kullanın veya takmayın bir  zaman sonra Giriş Pull-up/pull-down devre dışı bırakın. Bu beklenmedik durum kaçak akıma neden olabilir. Eğer çıkış fonksiyonu olarak bağlantı noktası kullandığınızda sorun oluyorsa Pull-up/pull-down devre dışı bırakın.

GPIO özellikleri şunlardır:

 172 Harici Kesmeler Kontrolleri

 32 Harici Uyandırma Kesmeler kontrol

 252 çok fonksiyonlu bir giriş / çıkış bağlantı noktaları

 GPX0, GPX1, GPX2 ve GPX3 (GPX * işaretçilerine canlı-pedleri) dışında Uyku Modu pin durumları kontrol eder.

ARM ÇİFT CORTEX-A9 TABANLI MOBİL UYGULAMA İŞLEMCİSİ

Samsung'un state-of-the-art Dual Core mobil işlemci ile muhteşem bir deneyime hazır olun.
Samsung bu state-of-the-art uygulama işlemcisi gibi zengin Full HD multimedya gibi tüm mobil yetenekleri vardır ve 32 nm High-K Metal Gate düşük güç sürecine dayalı inanılmaz düşük güç ile  çalışan 3D grafikler,.Bu akıllı telefonlar ve tablet PC'ler gibi nesil-sonraki mobil cihazlar için,
Bu indespensible olacak.

Düşük Güç Dual Core Cortex-A9 İşlemci: 1.5 GHz saat hızı (Exynos 4 Çift 45nm  daha 1.25x DMIPS) ile ARM Cortex-A9 çift çekirdekli işlemci - Grafik-yoğun uygulamalar (6.4 GB / s) için yüksek Bellek Bant Genişliği - Çeşitli Bellek destekler (LPDDR3/LPDDR2/DDR3)

Top-Notch 3D Performansı (performansını 4 Çift 45 nm Exynos daha iyi 2X)

- Dünyanın en iyi cep 3D grafik işlemcisi - 32 nm süreci HKMG ve gelişmiş architecure performansını artırır.

Düşük Güç Tüketimi

- LP süreç HKMG 32 nm büyük ölçüde güç tüketimini azaltır.

- Çoklu Güç Alan ve Dinamik Voltaj Frekans ölçeklendirme ile güç yönetir
- Arkadaşı PMIC ile Sistem düzeyinde güç optimizasyonu (S5M8767)

Yüksek Performans Donanım MFC ve ISP

- 1080P Çok Biçimi Codec Deneyimi tam profil desteği (MPEG4 ASP/H.264 HP/H.263 P3 tr / kod çözme, MPEG2/VC1/WMV9)

- Görüntü Sinyal İşlemci Deneyimi yüksek kaliteli kamera

- Özel SRAM ile düşük güç ses işlemcisi

Sistem Diyagramı:

Cihaz Teklifleri		32LP	28LPP	28LPH
Çekirdek VDD (V)		1.0V	1.0V	0.9V
Çekirdek Cihaz	sHVT			•
	HVT	•	•	•
	RVT	•	•	•
	LVT	•	•	•
	sLVT	•	•	•
1.8VI / O Cihazı	1.5V	•	•	•
	1.8V	•	•	•
2.5VI / O Cihazı	2.5V			•
	3.3V			•
SRAM	Tek Bağlantı	HS, HD	HS, HD	HS, HD
	Çift Bağlantı	HD	HD	HD
	İki	HS	HS	HS

Kaynakça

http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Exynos/products4212.html

Hazırlayan:Tuba Özkızıl